5月28日，在2023中关村论坛“北京（国际）第三代半导体创新发展论坛”上，国联万众碳化硅功率芯片二期、晶格领域液相法碳化硅衬底生产、特思迪减薄-抛光-CMP设备生产二期、铭镓半导体氧化镓衬底及外延片生产项目等6个产业项目签约，预计总投资近18亿元。而正是第三代半导体技术，为我国产业链进一步升级打开广阔空间。

前沿技术孕新机

在半导体技术日新月异的当下，第三代半导体尤为“亮眼”，业内观点认为，随着其应用铺开，将给诸多产业带来难以想象的革新。

科学技术部党组成员、副部长相里斌介绍：“以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体，具有高频、高效、耐高压、耐高温、抗辐射等方面的优越性能，世界主要国家纷纷加速技术攻关和产业布局，国际上第三代半导体材料、器件实现了从研发到规模性量产的跨越，在移动通信、新能源汽车、高速列车、智能电网、新型显示、通信传感等领域的应用不断扩大。”

对于这种世界前沿技术，我国在政策上的支持也不遗余力。据了解，长期以来科技部一直高度重视第三代半导体的技术创新和产业发展，从“十五”期间就开始率先支持第三代半导体材料和器件的研发，经过四个五年计划的持续支持，建立从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链创新能力。

“十五”开始，科技部支持半导体照明和氮化镓微波射频器件研发，目前半导体照明年产值已超过7000亿元，年节电超2000亿度；氮化镓微波射频器件作为移动通讯基站的关键零部件，为5G通讯产业的快速发展发挥重要作用。

此后，第三代半导体的应用领域更加广泛，“十二五”期间支持的碳化硅和氮化镓功率半导体，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网以及通用电源等领域已开始应用推广；“十三五”期间支持的小间距LED已经在新型显示领域规模化应用。

产业链关键一环

如果从国家战略层面出发分析产业结构，第三代半导体的重要地位不言而喻，随着国际间产业竞争愈发激烈，半导体芯片成为必争之地，这也让构建我国碳化硅供应链以及高精尖技术国产化变得愈发重要，第三代半导体是加速国产替代中关键一环，通过进一步掌握核心关键技术，实现产品自主可控。

业内观点认为，我国在半导体领域需求庞大，市场潜力充足，可以通过技术迭代以及产能扩张，在第三代半导体领域形成优势。

针对我国第三代半导体的发展阶段，相里斌表示：“总体上看，‘十三五’已基本解决了我国第三代半导体产品和相关装备的‘有无’问题，‘十四五’将重点解决‘能用、好用’以及可持续创新能力问题。”

专家观点认为，目前我国第三代半导体发展过程中仍有许多技术难题，需要集聚技术、人才等创新要素强化科技研发，更需要坚持开放创新，积极推动国际科技交流与合作。

具体而言，第三代半导体产业规模大，头部企业创新引领作用强，所以在发展过程中，要充分发挥企业在技术创新决策、研发投入、科研组织和成果转化中的主体作用，支持科技领军企业牵头布局，强化企业主导的产学研深度融合，推动高层次人才、项目、成果、设施平台、资本等创新要素向企业聚集，提高创新整体效率。

在第三代半导体产业落地过程中，北京市顺义区当仁不让。据悉，目前顺义区规划了3000余亩土地作为核心承载区，现已开发利用400亩。规划建设总面积约20万平方米的三代半标厂，目前一期7.4万平方米已投入使用，吸引4家企业入驻，二期6.6万平方米正在建设。

与会专家认为，当前顺义区通过持续不断的基础设施建设，令第三代半导体产业发展要素一应俱全，在专项政策不断出台并持续优化的背景下，第三代半导体产业链将在顺义区更深扎根。

北京商报记者 陶凤 王柱力